是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体资料，与传统的硅(Si)资料比较，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

  作为第三代半导体资料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等长处，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将具体介

  晶片作为半导体衬底资料，依据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于

  产业链图谱 /

  特征工艺模块简介 /

  （SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因此在高温、高频、大功率使用范畴具有明显优势。

  作为一种先进的电力电子设备，现已大范围的使用于动力转化、电机操控、电网维护等多个范畴。本文将具体介绍

  炉的差异 /

  介绍与仿真 /

  有哪些优劣势？ /

  半导体包含的类型相对较多，常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的

  驱动LSM6DS3TR-C完成高效运动检测与数据收集(10)----交融磁力计进行姿势解算

  2024年上海海思MCU开发者体会官招募，手机/MatePad大奖等你拿！